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电子元器件详细资料 » IC[28419] » STU8NM60ND
型号:STU8NM60ND类别:FET - 单制造商:STMicroelectronics
封装:TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB描述:MOSFET N-CH 600V 7A IPAK

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 600V 7A IPAK
系列FDmesh™
制造商STMicroelectronics
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)600V
电流_连续漏极(Id)0a025000C7A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C700 毫欧 @ 3.5A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2225V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs22nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds560pF @ 50V
功率_最大70W
安装类型通孔
封装/外壳TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
供应商设备封装I-Pak
包装管件

供应商

上海熠富电子科技有限公司销售部15821228847 // 13764057178 // 15026993318
深圳和润天下电子科技有限公司张小姐0755-83798683
深圳市旺财半导体有限公司李先生86-83209217
深圳市潮南大宇电子有限公司 陈小姐/陈先生0755-23956875\23956877
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